فرایند فوتولیتوگرافی TFT LCD و مراحل اچ
راهنمای ساخت آرایهٔ TFT-LCD
فوتولیتوگرافی TFT LCD، الگوی فوتوماسک را به هر لایهٔ نشانده‌شده روی زیرلایهٔ شیشه‌ای منتقل میکند. چرخهٔ اصلی شامل لایه‌نشانی، پوشش‌دهی فوتورزیست، نوردهی، ظهور، اچ و حذف رزیست است.
در این صفحه
- پنج مرحلهٔ اصلی فوتولیتوگرافی
- 1. لایهٔ عملکردی را بنشانید
- 2. فوتورزیست را پوشش دهید و آماده کنید
- 3. الگوی ماسک را نوردهی و ظاهر کنید
- 4. اچ تر یا خشک مناسب لایه را انتخاب کنید
- 5. فوتورزیست را حذف و نتیجه را بازرسی کنید
- جایگاه فوتولیتوگرافی در روند آرایهٔ TFT-LCD
- پرسش‌های متداول فوتولیتوگرافی TFT LCD
- منابع فنی و راهنماهای مرتبط
پنج مرحلهٔ اصلی فوتولیتوگرافی
| مرحله | هدف | نقطهٔ کلیدی کنترل |
|---|---|---|
| 1. لایه‌نشانی | فلز، نیمهرسانا، دیالکتریک یا رسانای شفاف را روی شیشه قرار دهید. | ضخامت، یکنواختی، چسبندگی و کنترل ذرات |
| 2. پوشش‌دهی فوتورزیست | لایه‌ای حساس به نور ایجاد کنید که بتواند الگوی ماسک را دربر گیرد. | ضخامت پوشش، وضعیت لبه و کنترل پخت |
| 3. نوردهی و ظهور | تصویر فوتوماسک را به فوتورزیست منتقل کنید. | هم‌راستایی هم‌پوشانی، دوز، فوکوس و ابعاد پس از ظهور |
| 4. اچ تر یا خشک | لایه‌ای را که فوتورزیست الگودهی‌شده از آن محافظت نمی‌کند حذف کنید. | گزینشپذیری، پروفیل، زیرخوری، بقایای مواد و اچ بیش‌ازحد |
| 5. حذف رزیست | پیش از بازرسی و لایهٔ بعدی، فوتورزیست باقی‌مانده را حذف کنید. | حذف بقایای مواد بدون آسیب به لایهٔ الگودهی‌شده |
1. لایهٔ عملکردی را بنشانید
چرخه با یک لایهٔ نازک کنترل‌شده روی زیرلایهٔ شیشه‌ای آغاز میشود. رسوب‌دهی فیزیکی بخار، مانند کندوپاش، معمولاً برای لایههای رسانا استفاده میشود. رسوب‌دهی شیمیایی بخار یا CVD تقویت‌شده با پلاسما می‌تواند برای لایههای نیمهرسانا و دیالکتریک به کار رود. روش واقعی به جنس لایه و طراحی فرایند بستگی دارد.
پیش از آغاز الگودهی، ضخامت، یکنواختی، چسبندگی و آلودگی باید در محدودهٔ پنجرهٔ فرایند باشند. مرحلهٔ فوتولیتوگرافی نمی‌تواند لایهٔ نشانده‌شدهٔ معیوب را اصلاح کند.
2. فوتورزیست را پوشش دهید و آماده کنید
فوتورزیست، الگوی محافظ موقت مورد استفاده هنگام اچ را فراهم میکند. رزیست مثبت در نواحی نورخورده محلول‌تر میشود؛ رزیست منفی در نواحی نورخورده پیوند عرضی ایجاد میکند و پس از ظهور، الگوی معکوس باقی می‌گذارد.
رزیست مثبت در فرایند آرایهٔ نمایشگر به‌طور گسترده استفاده میشود، اما انتخاب رزیست و شرایط پخت به تجهیزات، مجموعه‌لایه‌ها، وضوح و الزامات اچ بستگی دارد. ضخامت پوشش، پخت اولیه و وضعیت لبه بر نتایج نوردهی و ظهور بعدی اثر می‌گذارند.
3. الگوی ماسک را نوردهی و ظاهر کنید
هنگام نوردهی، نور فرابنفش الگوی فوتوماسک را به رزیست منتقل میکند. سپس ظهور، بخش محلول رزیست را حذف میکند و لایه‌ای را که باید اچ شود نمایان میسازد.
هم‌راستایی هم‌پوشانی اهمیت حیاتی دارد، زیرا هر لایهٔ جدید باید به ساختارهای ایجادشده با ماسک‌های قبلی متصل شود. دوز نوردهی، فوکوس، ضخامت رزیست و زمان ظهور بر عرض نهایی خطوط و اندازهٔ دهانه اثر می‌گذارند. پیش از اچ، بازرسی باید کامل‌بودن الگو را تأیید کند.
4. اچ تر یا خشک مناسب لایه را انتخاب کنید
اچ تر، ماده را از طریق واکنش شیمیایی مایع حذف میکند. اچ خشک از گونههای واکنشپذیر تولیدشده با پلاسما در محفظهٔ کنترل‌شده استفاده میکند. انتخاب صرفاً بر اساس «فلزی» یا «غیرفلزی» بودن لایه نیست؛ بلکه به شیمی ماده، گزینشپذیری، پروفیل، اندازهٔ ویژگی‌ها، یکنواختی و میزان قابل‌قبول آسیب زیرلایه نیز بستگی دارد.
| روش اچ | مزیت معمول | نکتهٔ معمول برای بررسی |
|---|---|---|
| اچ تر | توان عملیاتی بالا و گزینشپذیری مفید مواد برای لایههای مناسب | زیرخوری همسانگرد، کنترل حمام، بقایای مواد و یکنواختی |
| اچ خشک | کنترل بهتر پروفیل برای بسیاری از الزامات الگوهای ظریف یا چندلایه | آسیب پلاسما، گزینشپذیری، پروفیل دیوارهٔ جانبی و وضعیت محفظه |
5. فوتورزیست را حذف و نتیجه را بازرسی کنید
پس از اچ، فوتورزیست باقی‌مانده بدون آسیب به لایهٔ الگودهی‌شده حذف میشود. زیرلایه پیش از لایه‌نشانی و چرخهٔ ماسک بعدی تمیز و بازرسی میشود.
- حذف بقایای رزیست و اچ را تأیید کنید.
- هم‌راستایی و ابعاد بحرانی را با مشخصات فرایند تطبیق دهید.
- قطعی‌ها، اتصال‌های کوتاه، ذرات، خراش‌ها و پروفیل‌های غیرعادی را بازرسی کنید.
- عیوب را پیش از آنکه لایهٔ بعدی ناحیهٔ آسیب‌دیده را بپوشاند ثبت کنید.
جایگاه فوتولیتوگرافی در روند آرایهٔ TFT-LCD
فوتولیتوگرافی، تشکیل لایه را به الگوی نهایی ترانزیستور و الکترود پیکسل مرتبط میکند. تعداد ماسک‌ها با توجه به ساختار بک‌پلین و یکپارچه‌سازی فرایند متفاوت است. فرایند ساده‌شدهٔ سیلیکون آمورف با پنج ماسک ممکن است عملکردها را متفاوت از فرایندی پیچیده‌تر ادغام کند؛ بنابراین تعداد ماسک به‌تنهایی کیفیت محصول را تعیین نمی‌کند.
برای توالی کامل ساخت، شروع کنید با راهنمای فرایند آرایهٔ TFT-LCD. سپس بررسی کنید ساختار زیرلایهٔ آرایه, روند فرایند پنج ماسکی و راهنمای مواد آرایه.
پرسش‌های متداول فوتولیتوگرافی TFT LCD
فوتولیتوگرافی TFT LCD چیست؟
فرایند تکرارشوندهٔ انتقال الگو است که برای تعریف لایههای رسانا، نیمهرسانا، دیالکتریک و الکترود شفاف روی زیرلایهٔ آرایهٔ TFT-LCD استفاده میشود.
چرا فوتورزیست مثبت معمولاً استفاده میشود؟
ناحیهٔ نورخوردهٔ رزیست مثبت در محلول ظهور حل میشود و آن را برای انتقال دقیق الگو کاربردی میسازد. انتخاب نهایی همچنان به لایه، تجهیزات و پنجرهٔ فرایند بستگی دارد.
تفاوت اچ تر و خشک چیست؟
اچ تر از شیمی مایع و اچ خشک از گونههای واکنشپذیر تولیدشده با پلاسما استفاده میکند. سازگاری مواد، گزینشپذیری، هندسه و الزامات پروفیل، روش مناسب را تعیین میکنند.
منابع فنی و راهنماهای مرتبط
از فناوری آرایه به الزامات ماژول برسید
برای بررسی ماژول، اندازهٔ نمایشگر، وضوح، رابط، روشنایی، مجموعه‌لایه‌های لمسی، محیط کار، چرخهٔ عمر هدف، تعداد نمونه و پیش‌بینی سالانه را ارائه دهید.
